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Électronique de puissance : une filière pour surpasser le silicium

H. L.

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Le projet MeGan, mené par le Renault avec 15 partenaires, vise à remplacer les composants d'électroniques de puissance en silicium par leurs équivalents en nitrure de gallium (GaN). « Les composants GaN peuvent travailler à des températures et des tensions bien plus hautes. On réduit donc l'empilement de composants et le besoin de refroidissement », explique Jean-Jacques Aubert, coordinateur du programme au CEA.

Sur sa ligne pilote de Grenoble, le CEA Leti teste depuis juillet 2012 la production de tranches de 200 millimètres de GaN en conditions industrielles grâce à des machines de déposition de silicium reconverties.

L'architecture des composants est également à l'étude. Trois voies sont explorées avec les partenaires industriels : les moteurs électriques avec Renault, la gestion énergétique avec Schneider Electric et l'aéronautique avec Safran. Le programme, qui prendra fin en 2017, pourrait donc poser les bases d'une filière française.

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