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Du germanane pour remplacer le silicium

Sophie Eustache

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Une technologie pour fabriquer une monocouche de germanium a été développée par des chercheurs de l’université d’Ohio (Etats-Unis). Ils ont ainsi découvert que ce substrat, appelé germanane, possède une conductivité électronique 10 fois plus rapide que celle du silicium et 5 fois plus rapide que le germanium conventionnel.

Dans la nature, le germanium forme un cristal multicouche, dans lequel chaque couche atomique est reliée l'une à l'autre. Ainsi, une  monocouche d’atomes est naturellement instable. Pour résoudre ce problème, l’équipe de l’université d’Ohio a conçu un cristal dans lequel ils ont,[…]

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