Des transistors multicouches économes en énergie

Des transistors en 5 nm ont été fabriqués grâce à un procédé industriel mis au point par IBM, en collaboration avec Global Foundries et Samsung. A performance égale, cette technologie permet une économie d’énergie de 75% par rapport aux puces en 10 nm actuellement disponibles sur le marché.

Densifier le nombre de transistors dans une puce microélectronique est un enjeu majeur pour limiter les coûts et améliorer les performances. Pour cela, il faut développer des technologies qui permettent de réduire les distances élémentaires de gravure. En 2011, IBM présentait la technologie FinFET, qui permet d’obtenir des transistors en 3D. Placés verticalement, les sources et drains possèdent une hauteur. Avec une finesse[…]