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Des transistors à base de nanocâbles d’oxyde d’indium

Industrie et Technologies
Des travaux réalisés par la Nasa et l’université de Californie du sud portent sur des mémoires dont la densité atteint 40 gigabits/cm2.

Des chercheurs de la Nasa  et de l’université de Californie du Sud  viennent de développer un nouveau type de mémoire électronique à base de nanocâbles présentant des capacités de stockage étonnantes.

Leurs travaux viennent d’être publiés dans Applied Physic Letters.

Cette mémoire moléculaire auto-assemblée serait capable de contenir 40 gigabits par cm2, une densité largement supérieure à ce qui est obtenu actuellement par la technologie du silicium. En outre, la caractéristique d’auto-assemblage représente un atout économique certain.

Les chercheurs ont d’abord synthétisé des nanocâbles en oxyde d’indium de 10 nm de diamètre sur 2000 nm de long par un procédé procédé d’ablation laser d’un composé d’indium. L’indium métallique vaporisé réagit avec l’oxygène ambiant pour former l’oxyde d’indium sous forme de nanostructure.

Les chercheurs positionnent alors les nanocâbles sur une fine couche de quartz et les activent en les immergeant dans une solution oxydo-réductrice qui induit l’auto-assemblage et la création de nanotransistors. S

elon les chercheurs américains, ces nanocâbles d’oxyde d’indium pourraient s’appliquer avantageusement au marché de la mémoire stick.

Michel Le Toullec

Sites des entreprises citées
- www.nasa.gov
- www.usc.edu

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