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Des nano fils en silicium

Mathieu Brisou
Des nano fils en silicium

Martin Süess et Renato Minamisawa utilisent un microscope électronique pour vérifier la validité de leur procédé.

© Institut Paul Scherrer / F. Reiser

En étirant du silicium jusqu’au plus près de son point de rupture, des chercheurs imaginent une nouvelle génération de semi-conducteurs.

Animée par Renato Minamisawa de l’Institut Paul Scherrer à Villigen et Martin Süess de l’École polytechnique fédérale de Zurich, une équipe suisse crée des nano fils de silicium. Cette recherche est publiée dans la revue en ligne Nature Communications.

Partant d’un substrat en silicium étiré, l’équipe parvient à déformer le matériau de manière à créer un nano fil de 30 nm de large pour 15 nm d’épaisseur. Les chercheurs utilisent un substrat fabriqué avec les techniques industrielles classiques démontrant ainsi la compatibilité de leur méthode avec les lignes de production actuelles.

Reliés au reste du matériau par leurs extrémités, ces nano fils augmentent la capacité du silicium à transporter des électrons et s’avèrent simples à contrôler. Les chercheurs veulent désormais exploiter leur découverte pour tenter de mettre au point une nouvelle génération de transistors qui pourraient être plus véloces car plus économes en énergie. Ils envisagent également des applications dans les domaines de l’optoélectronique et du photovoltaïque.

L’équipe estime qu’à défaut d’applications concrètes, cette recherche permet de mieux cerner les limites du silicium sur le plan de ses caractéristiques électroniques.

Mathieu Brisou

L'annonce des résultats de cette recherche

La publication dans Nature Communications

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