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Des disques durs en 3D plus denses

Sophie Eustache

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Des disques durs en 3D plus denses

Jusqu'à 1 024 Go de capacité de stockage

© DR

Samsung vient de présenter lors de son Samsung SSD Global Summit qui se tient actuellement à Séoul, en Corée, une architecture 3D "vertical NAND" (V-NAND) composé de 32 couches de cellules pour doubler la capacité de ses disques durs. Une technologie qui se retrouvera rapidement à la fois dans les ordinateurs de bureau et les ordinateurs haut de gamme.

Le nouveau disque dur SSD (Solid-State Drive) Samsung 850 PRO, vient d’être dévoilé par l’industriel coréen lors de son Samsung SSD Global Summit qui se tient actuellement à Séoul, en Corée. Basé sur une architecture 3D et sur la technologie V-NAND, ce  SSD est destiné aux ordinateurs de bureau, aux ordinateurs effectuant des tâches d’écriture intensive, et aussi à des architectures spécialisées, notamment les consoles de jeux-vidéo. Contrairement au disque dur (Hard Disk Drive), qui contient des composants électro-mécaniques, la mémoire flash est constituée de semiconducteurs à l’état solide, ce qui lui apporte plus de solidité et de meilleures performances en termes de débit et de consommation. Cependant, l’architecture planaire du NAND pose des problèmes d’interférence entre les cellules, et a atteint ses limites en termes de densité.

Pour optimiser la technologie SSD NAND, Samsung a développé une architecture de rupture. « L’architecture 2D-NAND s’apparente à un quartier résidentiel. Avec un immeuble, on peut construire plus de logements sur moins d’espace, c’est pourquoi nous sommes passés à une architecture 3D l’an dernier », explique Kye Hyun Kyung, chef d’équipe de la section Flash Design, lors de la conférence. Cette architecture permet d’augmenter la densité. Elle empile 32 couches de cellules les unes sur les autres, par rapport à 24 couches en 2013, ce qui double la densité et l’écriture par rapport au traditionnel NAND planaire, gravé à 20 nm.

Efficacité énergétique optimisée

En recouvrant les cellules avec des isolants, les ingénieurs de Samsung ont ainsi contourné le problème des interférences. Un paradigme qui permet d’optimiser la consommation d’énergie du SSD. « Les NAND 2D utilisent un algorithme complexe pour contourner le problème de l’interférence. Ils utilisent un langage de programmation de haut niveau, ce qui consomme de l’énergie », continue Kye Hyun Kyung. Le 3D V-NAND utilise un langage de bas niveau (plus proche de la couche matérielle), ce qui libère du temps pour la lecture et l’écriture.

Performance

La lecture séquentielle du 850 PRO atteint 550 Mo/s et l'écriture jusqu'à 520 Mo/s. Ce disque SSD effectue 100 000 opérations par seconde en entrée / sortie (IOPS), avec des vitesses d'écriture allant jusqu'à 90 000 IOPS in/out). Il sera proposé dans des capacités de stockage de 128, 256, 512 et 1 024 Go avec une «durée de vie» de 150 téraoctets d'écriture de données, ce qui permet à Samsung de le garantir 10 ans. Il sera disponible dans l'été.

De notre envoyée spéciale en Corée, Sophie Eustache

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