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Déformer un semiconducteur 2D pour obtenir un photodétecteur sur silicium efficace dans le proche infrarouge

MANUEL MORAGUES
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Déformer un semiconducteur 2D pour obtenir un photodétecteur sur silicium efficace dans le proche infrarouge

Pour utiliser les atouts d'un semi-conducteur 2D comme le tellure de Molybdène dans la réalisation d'un photodétecteur en proche infrarouge intégré sur silicium, des chercheurs ont joué sur sa déformation mécanique pour réduire sa bande interdite et obtenir un gain élevé à 1550 nm.

Des chercheurs de laboratoires américains et d'un laboratoire belge ont montré comment jouer sur la déformation mécanique d'un semiconducteur 2D, le tellurure de Molybdène (MoTe2), permet de réduire sa bande interdite et d'exploiter ainsi ses atouts pour réaliser un photodétecteur intégré à haut gain dans le proche infrarouge. Leurs travaux ont été publiées dans Nature Photonics le 22 juin.

Les semiconducteurs 2D présentent des atouts pour réaliser des photodétecteurs intégrés dans le proche infrarouge, autour des 1550 nm qu'apprécient les circuits photoniques. Mais[…]

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