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Découverte d’une limite à la miniaturisation des circuits intégrés

Mathieu Brisou

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Découverte d’une limite à la miniaturisation des circuits intégrés

Des liaisons basées sur des conducteurs différents peuvent induire des pertes de conductivité au sein des circuits intégrés.

© Elpida

Une équipe de chercheurs identifie une barrière sur laquelle butte la loi de Moore.

Initiée par le professeur Peter Grütter, de l’Université McGill, au Canada et Yue Qi, chercheur pour General Motors, une recherche met en lumière une entrave à la miniaturisation des circuits intégrés. Ces travaux font l’objet d’une publication dans la revue scientifique Proceedings of the National Academy of Sciences.

En analysant une liaison à l’échelle atomique faite de deux métaux différents (tungstène et or) utilisés dans l’industrie pour élaborer les connexions des circuits intégrés, les chercheurs se sont aperçus que le courant mesuré est bien inférieur aux prévisions.

Cette résistance électrique dix fois plus importante qu’attendue s’expliquerait par la différence de conduction électrique au sein des métaux testés : ondes transversales dans le cas de l’or, transport des électrons de type d-wave dans le cas du tungstène. Les pertes de conductivité constatées pourraient freiner la création de nano circuits intégrés. Pour les chercheurs, poursuivre sur la voie de la miniaturisation impose une sélection spécifique des conducteurs utilisés.

Mathieu Brisou

Pour en savoir plus: consultez l'annonce officielle de cette recherche


 

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