Le graphène autorise la réalisation de circuits à l'échelle atomique.
© Yan Liang
Se détournant du silicium, une nouvelle approche propose de réaliser des circuits complexes à très grande échelle d’intégration.
Une équipe de l’Université de Cornell à Ithaca, dans l’état de New York (USA), présente une piste autorisant l’élaboration de circuits électroniques à l’échelle de l’atome. Ce travail est publié dans la revue Nature.
Sur un substrat de cuivre, l’équipe procède à un dépôt de graphène par évaporation chimique. Ensuite, à l‘aide d’un procédé lithographique, il est possible de retirer les atomes non requis et de les remplacer par du nitrure de bore qui agit comme un isolant. Il est ainsi possible de tracer des connexions. Les chercheurs pensent à l’avenir se tourner vers le sulfure de molybdène pour mettre au point des circuits complexes.
Le résultat obtenu consiste en un circuit souple et homogène aux connexions résistantes. L’épaisseur est celle d’un atome et il est possible d’imaginer en superposer plusieurs afin de créer des systèmes complexes. Cette recherche pourrait grandement influencer l’électronique souple, d’autant que le circuit final s’avère transparent.
Mathieu Brisou
