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Antaïos veut imposer sa techno de mémoire magnétique en successeur des mémoires flash

R. L.
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Antaïos veut imposer sa techno de mémoire magnétique en successeur des mémoires flash

La mémoire Spin Orbit Torque Magnetic Random-Access Memory (SOT-MRAM, à droite) que développe Antaios est une alternative aux mémoires Spin-Transfer Torque Magnetic Random Access Memory (STT-MRAM, à gauche).

© Antaios

Les mémoires magnétiques MRAM, c’est le terrain d’innovation d’Antaïos. Fondée en 2017 par essaimage du plus grand laboratoire français en spintronique, le Spintec à Grenoble, cette pépite développe la génération prochaine de mémoire, dite SOT-MRAM. Celle-ci améliore considérablement la vitesse, l’endurance et la consommation par rapport à la mémoire magnétique actuelle, la STT-MRAM, commercialisée par Everspin Technologies, GlobalFoundries ou Samsung. De quoi en faire la mémoire universelle capable de remplacer celles qui sont utilisées actuellement dans[…]

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