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10 000 transistors en nanotubes de carbone sur un seul composant

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Par publié le à 11h20

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La précision du procédé mis au point par IBM trouve une illustration dans cette image: la barre d'échelle en bas à gauche fait 2 micromètres.

En parvenant à intégrer un nombre significatif de transistors en nanotubes de carbone sur un seul circuit, IBM pense tenir une alternative à la filière silicium.

Une équipe d’IBM bat un record d’intégration de transistors en nanotubes de carbone (10 000 transistors sur un circuit) grâce à un nouveau procédé. Cette recherche est publiée dans la revue Nature Nanotechnology.

Un substrat à base de silicium et de de dioxyde de hafnium (HfO2) est plongé dans une solution de nanotubes de carbone et de détergent. Des liaisons entre nanotubes et HfO2 s’établissent et servent à créer des transistors deux fois plus petits que ceux obtenus avec les finesses de gravure actuelles les plus précises.

Faisant appel à des techniques issues de la chimie et de la filière silicium, ce procédé promet des expérimentations à grande échelle et se pose en alternative à la filière silicium selon IBM.

L'utilisation de nanotubes de carbone autorise l'élaboration de transistors plus rapides car le déplacement des électrons se fait plus facilement qu'au sein du silicium. De plus, le potentiel de miniaturisation à l'échelle atomique des transistors de ce type dépasse les possibilités offertes par le silicium.

Mathieu Brisou

Pour en savoir plus :
L’annonce officielle d’IBM
Un diaporama décrivant le procédé


 

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